Ионная имплантация является важным технологическим процессом в производстве полупроводниковых приборов. Ее суть состоит во внедрении ускоренных в электромагнитном поле ионов в поверхность полупроводниковой подложки.
В результате легирования примесными атомами можно добиться изменений таких свойств материала, как тип его проводимости, концентрация носителей заряда, кристаллическая структура и т.п.
Схема типичной установки ионного легирования представлена на рисунке. Основными блоками имплантёра являются источник ионов, ионный ускоритель, магнитный масс-сепаратор, система сканирования пучком ионов и камера, в которой находятся бомбардируемые образцы. Ионы имплантируемого материала разгоняются в электростатическом ускорителе и бомбардируют
Основные регулируемые параметры процесса – это энергия ионов и доза имплантации. От них зависит глубина проникновения примесных атомов и их концентрация. Эти параметры тщательно контролируются в процессе работы.
В АО «ЦНИИ «Электрон» процесс ионной имплантации проводится на установках «Везувий-4» и «Везувий-5».
Обе они позволяют обеспечивать имплантацию ионами низких энергий при больших дозах облучения, что является одним из основных требований при производстве полупроводниковых структур, производимых предприятием. Основные технические характеристики обеих установок представлены в таблице.
