Определились победители XII научно – технической конференции молодых специалистов «Техника и технология современной фотоэлектроники» , которая прошла 24 — 25 апреля.
На конференции было представлено 20 докладов молодых ученых и инженеров предприятия, а также студентов профильных кафедр из СПбГЭТУ (ЛЭТИ) и СПбПУ Петра Великого (Политех). Впервые была опробована онлайн-трансляция конференции с демонстрацией презентаций докладов участников конференции, на которой можно было задавать вопросы непосредственно выступающему.
Основными темами выступлений были:
✅твердотельная и вакуумная фотоэлектроника;
✅гибридные технологии и приборы;
✅оптика и лазеры в современной фотоэлектронике;
✅технологии производства приборов вакуумной и твердотельной фотоэлектроники;
✅методы и системы измерений параметров твердотельных и вакуумных фоточувствительных приборов.
Все доклады были интересны и чрезвычайно важны как для научной мысли в фотоэлектронике, так и с точки зрения прикладного применения в производстве ЦНИИ «Электрон».
По итогам конференции конкурсной комиссией были определены следующие доклады:
1 место — Челышков С.Н. (АО «ЦНИИ «Электрон»/СПбГЭТУ «ЛЭТИ»). Фотоприемник SWIR излучения на основе коллоидных квантовых точек и линейного ЛФППЗ.
2 место — Ефимова А.В.(АО «ЦНИИ «Электрон») Реализация процесса накопления в малокадровых ИК видиконах».
2 место — Чеботов Е.В. (АО «ЦНИИ «Электрон»), Дементьев А.А. (АО «ЦНИИ «Электрон»). Разработка миниатюрной Универсальной ТВ камеры УФ диапазона.
3 место — Хахулин С.А. (СПбГЭТУ «ЛЭТИ»), Фирсов Д.Д. (СПбГЭТУ «ЛЭТИ»), Комков О.С. (СПбГЭТУ «ЛЭТИ»). Метод исследования материалов и структур для создания поляризационно-чувствительных фотоприёмных устройств в среднем ИК диапазоне.
3 место — Молчанов С.В. (АО «ЦНИИ «Электрон»), Созыкин Г.О.(АО «ЦНИИ «Электрон»). Повышение качества сеточного полотна.
3 место — Аксенова Л.Ю. (АО «ЦНИИ «Электрон»), Клусова В.А. (АО «ЦНИИ «Электрон»), Ефимов Н.Ю. (АО «ЦНИИ «Электрон»). Совершенствование технологии обработки эпитаксиальных структур и подложек арсенида индия для снижения разнотолщинности.
3 место — Караулов Д.А. (Санкт-Петербургский Политехнический Университет Петра Великого). Исследование спектров межзонной фотолюминесценции ННК InAs
Также конкурсной комиссией были рекомендованы следующие доклады к публикациям:
Гейко Д.И. (АО «ЦНИИ «Электрон»). Применение методов ускоренных испытаний для оценки надежности фотоприемников разрабатываемых по ОКР;
Лобанов И.П. (АО «ЦНИИ «Электрон»/ СПбГЭТУ «ЛЭТИ»), Максименкова О.Б. (АО «ЦНИИ «Электрон»/ СПбГЭТУ «ЛЭТИ»). Исследование процесса умножения и электрофизических свойств ионно-легированных фоточувствительных структур»;
Чеботов Е.В. (АО «ЦНИИ «Электрон»), Дементьев А.А. (АО «ЦНИИ «Электрон»). Разработка миниатюрной Универсальной ТВ камеры УФ диапазона.